簡要描述：v該化學(xué)機械拋光機可用于各類半導(dǎo)體集成電路、氧化物、金屬、STI、SOI等產(chǎn)品的CMP平坦化拋光

v 該化學(xué)機械拋光機可用于各類半導(dǎo)體集成電路、氧化物、金屬、STI、SOI等產(chǎn)品的CMP平坦化拋光。 通過更換拋光頭可兼容4、6、8英寸晶圓

v 系統(tǒng)功能：手動上下片，程序自動進行拋光，配有終點監(jiān)測裝置，配置半自動loading & unloading托盤系統(tǒng)，8寸規(guī)格，方便8寸晶圓上下片

v 拋光數(shù)據(jù)監(jiān)測：具有摩擦力監(jiān)測功能

v 配備紅外溫度計實時監(jiān)測拋光過程中拋光墊表面溫度

v 拋光盤直徑≥20inch(508mm) 轉(zhuǎn)速范圍：30-200rpm

v 拋光頭wafer加壓方式：氣囊加壓，帶有背壓功能

v wafer壓力控制范圍：70-500g/cm²

v 保持環(huán)壓力控制范圍：70-700g/cm²

v 拋光頭轉(zhuǎn)速范圍：30-200rpm 擺動幅度：±10mm

v 拋光液供應(yīng)系統(tǒng)：3個可調(diào)流量蠕動泵供液，3路獨立的拋光液通道，滴液位置可調(diào)

v 配置摩擦力&溫度終點監(jiān)控系統(tǒng)：含專用監(jiān)測軟件，帶有End point detection功能

v 控制系統(tǒng)：PC工控機控制，觸摸屏操作，可存儲20個加工程序，加工程序最多可設(shè)6個不同加工階段

v 均勻性 (1sigma,EE(Edge Exclusion):5mm)

片內(nèi)非均勻性WIWNU≤5%

片間非均勻性WTWNU≤5%