簡要描述：v主要功能：快速熱退火，快速熱氧化，快速熱氮化，擴散，化合物半導體退火，離子注入后退火，電極合金化等v樣片尺寸：8inch，向下兼容，支持不規整樣品退火v退火溫度范圍：室溫~1200℃

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